對半導(dǎo)體行業(yè)來說，金秋10月是一個收獲的季節(jié)。一方面，行業(yè)全面復(fù)蘇，相關(guān)上市公司業(yè)績穩(wěn)步增長；另一方面，全國各地的半導(dǎo)體項目也在如火如荼地展開著，其中不乏百億級、五十億級的項目。

芯辰大海對10月1日至11月6日正在建設(shè)的半導(dǎo)體項目進行了梳理，發(fā)現(xiàn)了兩大特點:一是項目多，平均每天開工或竣工一個項目；二是行業(yè)大項目多集中在第三代半導(dǎo)體、先進封測等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體項目密集展開 平均每天開工或竣工一個項目

雖然近年來部分外國政府在半導(dǎo)體行業(yè)加強了對中國的出口管制，但這并沒有影響到我國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的熱情。從公開數(shù)據(jù)來看，未來數(shù)年，我國依然是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資中心。

SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍表示，“2022年～2026年全球?qū)⒂?09座新增的晶圓廠，其中70多個在中國大陸?！?/p>

另據(jù)SEMI的預(yù)測，2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額預(yù)計同比增長3.4%至1090億美元。中國對半導(dǎo)體設(shè)備投資將持續(xù)強勁，投入芯片設(shè)備將占據(jù)全球32%的份額。預(yù)計到2027年，中國將保持其作為全球300mm設(shè)備支出第一的地位，未來三年將投資超過1000億美元。

除了宏觀層面的數(shù)據(jù)，從微觀的角度來看，就今年10月份的數(shù)據(jù)來說，我國半導(dǎo)體行業(yè)的項目建設(shè)，依舊維持在較高的水平。

據(jù)芯辰大海不完全統(tǒng)計，在10月1日至今（11月6日的），我國開工（包括簽約、開工等）或竣工（包括封頂、投產(chǎn)、通過驗證、交付用戶等）或取得重大進展的半導(dǎo)體項目達37個，平均下來，每天都有一個項目開工、竣工或取得重大進展。

以下為項目詳情：

第三代半導(dǎo)體、先進封測項目集中爆發(fā)

凡事都將講究輕重緩急，對于具有戰(zhàn)略意義的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說更是如此。那么10月份，我國半導(dǎo)體行業(yè)的投資重心在哪里？芯辰大海對上述項目數(shù)據(jù)進行分析后發(fā)現(xiàn)一個現(xiàn)象，10月份開工的百億級、五十億級的項目都集中于第三代半導(dǎo)體、先進封測領(lǐng)域。

10月份，我國半導(dǎo)體行業(yè)開工的百億級項目有一個，即合肥中車時代半導(dǎo)體項目，總投資達 110 億元。項目計劃建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)碳化硅、氮化鎵等新型半導(dǎo)體材料的芯片。

10月份，我國半導(dǎo)體行業(yè)開工的五十億級項目有3個。分別是：

計劃投資52億元的先進半導(dǎo)體（公司名稱為先進半導(dǎo)體）芯片封測基地及總部項目，將新建先進半導(dǎo)體功率器件芯片封測產(chǎn)線，整體達產(chǎn)后，預(yù)計可實現(xiàn)年主營業(yè)務(wù)收入約50億元；

總投資35.2億元的通富微電先進封測項目，計劃引進國際一流的封測技術(shù)和設(shè)備，未來產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高性能計算、人工智能、網(wǎng)絡(luò)通信等多個領(lǐng)域；

投資48億元的華天電子汽車電子產(chǎn)品生產(chǎn)線升級項目。據(jù)了解，自2010年華天電子科技園開工建設(shè)以來，公司累計投資超過70億元，發(fā)展成為我國重要的引線框架類集成電路封測基地。

除了上述項目，10月份，我國半導(dǎo)體行業(yè)還有兩個百億級項目取得重大進展，分別是：

項目總投資預(yù)計超過200億元的長飛先進武漢碳化硅項目，根據(jù)規(guī)劃，該項目基地11月起設(shè)備進駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預(yù)計2025年5月量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。

總投資120億元的士蘭集宏8英寸SiC（碳化硅）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目，該項目在10月份已經(jīng)進入土方工程收尾階段，一期項目預(yù)計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)，項目分兩期建設(shè)。

可以看到，上述6個項目，無一例外，全部集中于第三代半導(dǎo)體和先進封測。那么，為什么這兩個領(lǐng)域會成為行業(yè)重點發(fā)展方向呢？

公開資料顯示，第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比于第一代和第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體行業(yè)有兩大特點。一是性能更好，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點；二是因為行業(yè)起步相對較晚，我國在該產(chǎn)業(yè)與世界先進水平的差距相對較小。

先進封測技術(shù)方面，近年來半導(dǎo)體先進制程工藝已經(jīng)進入1到3納米時代，逐漸逼近物理極限。所以，越來越多的廠商開始將研發(fā)方向由先前的“如何把芯片變得更小”轉(zhuǎn)變?yōu)椤叭绾伟研酒獾酶　?，先進封測技術(shù)逐漸成為行業(yè)發(fā)展重點。