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中微公司發(fā)明專利再獲中國專利獎殊榮

2025/1/9 16:13:24     

中國上海，2025年1月9日——中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）和南昌中微半導體設備有限公司共同擁有的發(fā)明專利“一種化學氣相沉積裝置及其清潔方法”（專利號：ZL201510218357.1）榮獲第二十五屆中國專利獎銀獎。

中國專利獎是我國專利領(lǐng)域的最高榮譽，由國家知識產(chǎn)權(quán)局和世界知識產(chǎn)權(quán)組織聯(lián)合主辦，旨在鼓勵和表彰專利權(quán)人和發(fā)明人對技術(shù)創(chuàng)新及經(jīng)濟社會發(fā)展所作出的突出貢獻。至此，中微公司已榮獲中國專利獎2項金獎、1項銀獎和3項優(yōu)秀獎，這標志著中微公司在技術(shù)創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)保護方面所取得的卓越成就。

本次獲獎的發(fā)明專利是中微公司MOCVD設備產(chǎn)品的基礎(chǔ)核心專利。MOCVD設備是寬禁帶半導體各種微觀器件制造的最關(guān)鍵設備，采用單晶外延生長技術(shù)生產(chǎn)LED芯片、功率器件以及其它第三代半導體器件，具有廣闊的應用前景。中微公司的MOCVD設備在業(yè)界享有盛譽，其氮化鎵基LED生產(chǎn)用MOCVD設備的市場占有率在過去幾年內(nèi)躍居全球第一，市場占有率超過70%。


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本次獲獎專利從反應腔內(nèi)流體動力學和氣流分布的角度提供了一種構(gòu)思新穎、巧妙的設計，使反應氣體排氣與反應副產(chǎn)物沉積物的收集、存儲相互分離，避免了固體沉積物對排氣口的堵塞，巧妙解決了MOCVD設備領(lǐng)域一直困擾的排氣不均勻、工藝良率低、維護頻繁和生產(chǎn)效率低等業(yè)界難題。這一突破性的技術(shù)，為客戶提供了更可靠、更高效的生產(chǎn)解決方案，有力推動了MOCVD設備的技術(shù)進步，促進了LED照明與顯示產(chǎn)業(yè)的新發(fā)展。這一創(chuàng)新成果進一步鞏固了中微公司在MOCVD設備市場的領(lǐng)先地位，也為國家節(jié)能減排、降低能耗作出了巨大貢獻。

“中微公司連續(xù)斬獲中國專利獎，彰顯了中微公司在研發(fā)創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理方面的領(lǐng)先地位?！敝形⒐径麻L兼總經(jīng)理尹志堯博士表示，“創(chuàng)新是中微公司發(fā)展的核心驅(qū)動力。中微公司將始終秉承技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品差異化和知識產(chǎn)權(quán)保護的產(chǎn)品開發(fā)原則，強化研發(fā)投入，不斷突破技術(shù)瓶頸，為客戶提供更具創(chuàng)新性和卓越品質(zhì)的產(chǎn)品和服務，為全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻更大的力量?！?/p>

關(guān)于中微半導體設備（上海）股份有限公司

中微半導體設備（上海）股份有限公司（證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012）致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類，包括十幾種細分刻蝕設備已可以覆蓋大多數(shù)刻蝕的應用。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國內(nèi)和國際一線客戶，涵蓋從65納米到5納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用。中微公司最近十年著重開發(fā)多種導體和半導體化學薄膜設備，如MOCVD，LPCVD，ALD和EPI設備，并取得了可喜的進步。中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設備早已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，并在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。此外，中微公司也在布局光學和電子束量檢測設備，并開發(fā)多種泛半導體微觀加工設備。這些設備都是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設備，可加工和檢測微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。在美國TechInsights（原VLSI Research）近五年的全球半導體設備客戶滿意度調(diào)查中，中微公司三次獲得總評分第三，薄膜設備三次被評為第一。