2025年2月27日，中微公司發(fā)布了2024年業(yè)績(jī)快報(bào)。在業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的同時(shí)，中微公司的研發(fā)投入呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，達(dá)24.52億元，同比增長(zhǎng)約94.31%，近乎翻倍。相比之下，中微公司2024 年?duì)I業(yè)收入約 90.65 億元，同比增長(zhǎng)44.73%；歸母凈利潤(rùn)為13.88億元，同比增長(zhǎng)16.52%。

中微公司解釋稱，研發(fā)投入如此高增長(zhǎng)的原因是：由于市場(chǎng)對(duì)中微開發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長(zhǎng)，2024 年公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補(bǔ)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備短板，實(shí)現(xiàn)趕超，為持續(xù)增長(zhǎng)打好基礎(chǔ)。

中微公司還強(qiáng)調(diào)，公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快，過去通常需要三到五年開發(fā)一款新設(shè)備，現(xiàn)在只需兩年或更短時(shí)間就能開發(fā)出有 競(jìng)爭(zhēng)力的新設(shè)備，并順利進(jìn)入市場(chǎng)。

不過，中微公司的解釋依舊沒有講清楚公司在2024年取得的具體技術(shù)進(jìn)展。為此，芯辰大海查閱了中微公司2024年至2025年的主要公告，總結(jié)出中微公司的三大技術(shù)進(jìn)展，具體情況如下：

在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)原子級(jí)操控 精度達(dá)到0.02納米

先說中微公司的刻蝕設(shè)備在實(shí)驗(yàn)室能夠達(dá)到的最大操作精度。

在2024年半年度業(yè)績(jī)說明會(huì)中，中微公司董事長(zhǎng)尹志堯表示，中微半導(dǎo)體已經(jīng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，氧化硅、氮化硅、多晶硅三種材料均可以實(shí)現(xiàn)0.02納米的準(zhǔn)確度，相當(dāng)于每次加工一個(gè)原子。

當(dāng)然這一技術(shù)依舊處于實(shí)驗(yàn)室階段，還未量產(chǎn)。不過，目前全球刻蝕機(jī)巨頭 LAM Research、TEL 等國(guó)外刻蝕機(jī)巨頭其量產(chǎn)能力還停留在5nm、3nm階段，雖然中微半導(dǎo)體的0.02nm只是在實(shí)驗(yàn)室取得成功，但也足見中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起速度。

存儲(chǔ)領(lǐng)域刻蝕機(jī)獲得重大突破  可用于128層以上堆疊

中微公司在存儲(chǔ)領(lǐng)域刻蝕機(jī)上的突破，即是技術(shù)上的，也是市場(chǎng)上的。

先說市場(chǎng)方面的突破，在2024年8月的投資者交流活動(dòng)中，中微公司表示：預(yù)計(jì)2024年前三季度的累計(jì)新增訂單超過75億 元，同比增長(zhǎng)超過50%；公司預(yù)計(jì)2024年的累計(jì)新增訂單將達(dá)到110-130 億元。

同時(shí)中微公司強(qiáng)調(diào)：公司2024年上半年新增訂單中，來自存儲(chǔ)客戶的占比較高。先進(jìn)制 程（包括先進(jìn)邏輯及存儲(chǔ)）占比超過70%。

那么，為什么中微公司新增訂單中，來自存儲(chǔ)客戶的占比較高呢？這是因?yàn)橹形⒐驹诖鎯?chǔ)領(lǐng)域使用的刻蝕機(jī)上，取得了重大突破。

中微公司2024年半年報(bào)顯示，公司在研項(xiàng)目中，排名第一的是“用于存儲(chǔ)器刻蝕的CCP刻蝕設(shè)備”，該項(xiàng)目的具體應(yīng)用前景為“3D NAND，>=128層”。

中微公司介紹，該項(xiàng)目當(dāng)前的進(jìn)展是： Beta機(jī)客戶端已完成溝道刻蝕（深寬 比60:1）等4道工 藝的驗(yàn)證，已展開大規(guī)模量產(chǎn)。

除了上述刻蝕技術(shù)，中微公司還積極布局超低溫刻蝕技術(shù)，在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲(chǔ)備更高深寬比結(jié)構(gòu) （≥90:1）刻蝕的前衛(wèi)技術(shù)。多款I(lǐng)CP設(shè)備在先進(jìn)邏輯芯片、先進(jìn)DRAM和3D NAND產(chǎn)線驗(yàn)證推進(jìn)順利并陸續(xù)取得客戶批量訂單。

并且對(duì)于上述設(shè)備的市場(chǎng)前景，中微公司也是充滿信心，公司表示：存儲(chǔ)器件從2D至3D的轉(zhuǎn)換的過程中，需要大量采用多層材 料薄膜沉積和極高深寬比結(jié)構(gòu)的刻蝕，等離子體刻蝕和薄膜制程成為最關(guān)鍵的步驟。因此，我們相信未來這兩類設(shè)備的需求量和價(jià)值量會(huì)繼續(xù)提升。

薄膜設(shè)備：六種 LPCVD 薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)

在2024年業(yè)績(jī)快報(bào)中，中微公司表示，公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開發(fā)的六種 LPCVD 薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng)，2024 年收到約4.76億元批量訂單，實(shí)現(xiàn)銷售收入已達(dá)到約1.56億元。

具體技術(shù)進(jìn)展方面，在2024年中報(bào)中，中微公司強(qiáng)調(diào)，公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲(chǔ)器件所有鎢應(yīng)用，并已完成多家邏輯和存儲(chǔ)客戶對(duì)CVD/HAR/ALD W鎢設(shè)備的驗(yàn)證，取得了客戶訂單。中微公司還規(guī)劃了多款CVD和ALD設(shè)備，增加薄膜設(shè)備的覆蓋率，進(jìn)一步拓展市場(chǎng)。