專利大戰(zhàn)小勝一場(chǎng)!300億半導(dǎo)體巨頭英諾賽科在反訴英飛凌案件中,獲得管轄權(quán)勝訴!
據(jù)多家權(quán)威媒體報(bào)道,在與國(guó)際巨頭英飛凌的專利大戰(zhàn)中,我國(guó)第三代半導(dǎo)體企業(yè)英諾賽科(02577.HK)小勝一局,獲得管轄權(quán)勝訴。法院終審裁定,駁回英飛凌中國(guó)公司及無(wú)錫公司提出的管轄權(quán)異議上訴,確認(rèn)蘇州市中級(jí)人民法院對(duì)案件的管轄權(quán)。
據(jù)了解,此次裁定是源于今年一月份,英諾賽科向英飛凌發(fā)起的一起專利訴訟。
2025年1月16日,英諾賽科發(fā)布公告稱,公司及其全資附屬公司英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司(英諾蘇州)向中國(guó)江蘇省蘇州市中級(jí)人民法院提起訴訟,指控英飛凌科技(中國(guó))有限公司(被告一)、英飛凌科技(無(wú)錫)有限公司(被告二)及蘇州芯沃科電子科技有限公司(被告三)侵犯其兩項(xiàng)專利,兩項(xiàng)專利的專利號(hào)分別為:202311774650.7、202211387983.X。
英諾賽科表示,涉案專利分別涉及一種氮化鎵(GaN)功率器件及其制備方法,以及一種氮化物基半導(dǎo)體器件及其制造方法。根據(jù)起訴狀,被告二是被告一的全資控股子公司,并為英飛凌中文網(wǎng)站的備案主體。該網(wǎng)站向中國(guó)的潛在客戶展示、宣傳及許諾銷售多種型號(hào)的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件(「涉案侵權(quán)產(chǎn)品」);被告一是涉案侵權(quán)產(chǎn)品的進(jìn)口商和總經(jīng)銷商;根據(jù)英飛凌中文網(wǎng)站,被告三是被告一、被告二于中國(guó)的增值分銷商。
經(jīng)技術(shù)比對(duì),英諾賽科認(rèn)為涉案侵權(quán)產(chǎn)品落入涉案專利的保護(hù)范圍,三被告未經(jīng)原告允許實(shí)施了許諾銷售、銷售、進(jìn)口涉案侵權(quán)產(chǎn)品的行為,構(gòu)成對(duì)涉案專利的侵害,依法應(yīng)當(dāng)承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任,包括停止侵權(quán)行為及承擔(dān)賠償責(zé)任。
實(shí)際上,英諾賽科此次起訴英飛凌,是對(duì)英飛凌的一次反訴,英飛凌早就在美國(guó)、德國(guó)等地,對(duì)英諾賽科提起了訴訟。
據(jù)英飛凌官網(wǎng)信息,早在2024年3月14日,英飛凌已在美國(guó)加利福尼亞北區(qū)地方法院對(duì)英諾賽科提起了專利侵權(quán)訴訟,并于2024年6月4日向德國(guó)慕尼黑地方法院提起相應(yīng)訴訟,同時(shí)對(duì)英諾賽科德國(guó)分銷商提起了其他訴訟。
2024年7月23日,英飛凌在美國(guó)加利福尼亞北區(qū)地方法院,對(duì)英諾賽科(珠海)科技有限公司、英諾賽科美國(guó)公司及其關(guān)聯(lián)公司(以下簡(jiǎn)稱:英諾賽科)在現(xiàn)有訴訟基礎(chǔ)上,追加了新的訴訟請(qǐng)求,指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項(xiàng)與氮化鎵(GaN)技術(shù)相關(guān)的專利。
此外,英飛凌還在2024年7月26日,向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)起訴,就前述訴訟所涉的四項(xiàng)相同專利提出法律索賠。
英諾賽科簡(jiǎn)介:
英諾賽科官網(wǎng)顯示,公司是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),采用IDM(Integrated Device Manufacture)全產(chǎn)業(yè)鏈模式,建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。
截至2025年5月9日收盤,英諾賽科市值為331億港幣,約合人民幣307億元。
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